【MOS最常損壞5種模式詳解】雪(xuě)崩≤λβ破壞、器(qì)件(jiàn)發熱(rè)損壞、內(nèi)置二≈ γ極管破壞、由寄生(shēng)振蕩導緻的(™•γ×de)破壞、栅極電(diàn)湧、靜(jìng)電(diàn)破壞
第一(yī)種：雪(xuě)崩破壞
如(rú)果在漏極-源極間(jiān)外(wài)加超出器(qì)件(ji¶'àn)額定VDSS的(de)電(diàn)湧電(φ≠♠diàn)壓，而且達到(dào)擊穿電(diàn)壓V(BR)DSS （根★∑據擊穿電(diàn)流其值不(bù)同），并超出一(yī)定的(de)≤↔←能(néng)量後就(jiù)發生(shēng)破壞"&'的(de)現(xiàn)象。
在介質負載的(de)開(kāi)關運行(xíng)斷開(kā ∏i)時(shí)産生(shēng)的(de)回♦✘掃電(diàn)壓，或者由漏磁電(diàn)感産生(shēng)的(d←σ♦∏e)尖峰電(diàn)壓超出功率MOSFET的(de)漏極額定耐壓并進入擊穿™≤↓™區(qū)而導緻破壞的(de)模式會(huì)引起雪(xuě)崩破壞。
典型電(diàn)路(lù)：
第二種：器(qì)件(jiàn)發熱(rè)損壞由超出安全區(qū)域引起發熱(rè)而導緻的(de)。發熱"Ω≤(rè)的(de)原因分(fēn)為(wèi)直流功率和(hé)瞬Ω♣→态功率兩種。
直流功率原因：外(wài)加直流功率而導緻的(de)損耗$Ω引起的(de)發熱(rè)
●導通(tōng)電(diàn)阻RDS(on•γ≥)損耗（高(gāo)溫時(shí)RDS(•∏on)增大(dà)，導緻一(yī)定電(diàn)流下(xià)，功耗增加）±₩α
●由漏電(diàn)流IDSS引起的(de)損耗（和(hé)其他(t>≤ā)損耗相(xiàng)比極小(xiǎo£')）
瞬态功率原因：外(wài)加單觸發脈沖
●負載短(duǎn)路(lù)
●開(kāi)關損耗（接通(tōng)、斷開(kāi→σ↓ε)） *（與溫度和(hé)工(gōng)作(zuò)頻(pín)率是(shì★επ™)相(xiàng)關的(de)）
●內(nèi)置二極管的(de)trr損耗（上(shà×£ng)下(xià)橋臂短(duǎn)路(lù)損耗）（與溫度φ$和(hé)工(gōng)作(zuò)頻(píλφn)率是(shì)相(xiàng)關的(de)）
器(qì)件(jiàn)正常運行(xíng)時(shí)不(bù)發生(♣±shēng)的(de)負載短(duǎn)路(lù)等引起的(de)過電(d"♦iàn)流，造成瞬時(shí)局部發熱(rè)而導緻破壞®φ↓×。另外(wài)，由于熱(rè)量不(b≤ ₹"ù)相(xiàng)配或開(kāi)關頻(pín)率太高(gā♣•o)使芯片不(bù)能(néng)正常散熱(rè)時(§ ♥shí)，持續的(de)發熱(rè)使溫度超出溝道(dào)溫度<π>導緻熱(rè)擊穿的(de)破壞。
第三種：內(nèi)置二極管破壞
在DS端間(jiān)構成的(de)寄生(shēng)二極管運行(xíng)♠♥★時(shí)，由于在Flyback時(shí)功率MOSFET§€≤Ω的(de)寄生(shēng)雙極晶體(tǐ)管運行(xíng)，
導緻此二極管破壞的(de)模式。
第四種：由寄生(shēng)振蕩導緻的(de)破壞
此破壞方式在并聯時(shí)尤其容易發生(shēng)
在并聯功率MOS FET時(shí)未插入栅極電(diàn)阻而直接連接時(sλ•σhí)發生(shēng)的(de)栅極寄生(>≈&✔shēng)振蕩。高(gāo)速反複接通∞©<→(tōng)、斷開(kāi)漏極-源極電(diàn)壓時(shí)，在•₩¶由栅極-漏極電(diàn)容Cgd(Crss)和(hé)栅極引腳電(diàn)πφ感Lg形成的(de)諧振電(diàn)路(lù)上(shàng)發生(sh££×ēng)此寄生(shēng)振蕩。當諧振←&Ω條件(jiàn)(ωL=1/&omeg¶±a;C)成立時(shí)，在栅極-源極間(jiān)外(wài)加遠(yuǎn∑')遠(yuǎn)大(dà)于驅動電(diàn)壓Vgs(in)≈ 的(de)振動電(diàn)壓，由于超出栅極-源極間(j↔±↕iān)額定電(diàn)壓導緻栅極破壞 β，或者接通(tōng)、斷開(kāi)漏極-源極間(jiān)電(diàn)壓♦↓時(shí)的(de)振動電(diàn)壓通(tōng)過栅π™≠極-漏極電(diàn)容Cgd和(hé)'✘α✔Vgs波形重疊導緻正向反饋，因此可(kě)能(néng)會(huì)由于誤™₩<動作(zuò)引起振蕩破壞。
第五種：栅極電(diàn)湧、靜(jìng)電(diàn)破壞♣☆
主要(yào)有(yǒu)因在栅極和(hé)源極之間(jiān)如(rγ∏₹ú)果存在電(diàn)壓浪湧和(hé)靜(jìng)電(diàn ®)而引起的(de)破壞，即栅極過電(diàn)壓破壞和(≤&hé)由上(shàng)電(diàn)狀态中靜(jδ≠÷ìng)電(diàn)在GS兩端（包括安裝和(hé)♥∞π和(hé)測定設備的(de)帶電(diàn)）而導緻的(de)πα©栅極破壞
