【開(kāi)關電(diàn)源各個(gè)電(diàn)阻計(Ω₽↓♣jì)算(suàn)】：放(fàng)電(diàn),熱×₹Ω¶(rè)敏,壓敏,啓動,VCC,反饋...

【開(kāi)關各個(gè)電(diàn)阻計(jì>φ)算(suàn)】：放(fàng)電(diàn)電(diδα÷ àn)阻、熱(rè)敏電(diàn)阻、壓敏電(diàn)阻、啓 π動電(diàn)阻、吸收電(diàn)阻、VCC電(↑δ"→diàn)阻、驅動電(diàn)阻、反饋電(dià✔↔αn)阻....

根據個(gè)人(rén)的(de)經驗，大(dà)緻的(de)聊下(xiàφ©)電(diàn)阻的(de)相(xiàng)關內(nèi)容，也(yδσě)希望同行(xíng)提供些(xiē)資料，一(y∏≥ī)起學習(xí)，探討(tǎo)一(yī)下¥φ∞₹(xià)，順便給新人(rén)提供點參考。

放(fàng)電(diàn)電(diàn)阻
R1,R2,R3,R4的(de)放(fàng)電(di<™àn)電(diàn)阻取值。

IEC60950，IEC60065都(dōu)有(yǒu)規定放∑≈✘(fàng)電(diàn)時(shí)間(jiān)對(duì)應放(fà‌"αng)電(diàn)電(diàn)壓的(de)。

X電(diàn)容超過0.1uF的(de)話(h∞ ®uà)基本要(yào)加上(shàng)這(zhè)4個(gè)電(dià•‌σn)阻了(le)。

IEC60950規定1s內(nèi)電(diàn​✘)壓需下(xià)降至37%，IEC60065規定2S內(nèi)電(dià←∞λn)壓需降至35V。

一(yī)般情況都(dōu)是(shì)通(tōng)過測試去(qù'↓ €)判定，1S內(nèi)plug端的(de)電(diàn)  ™壓(240VrmsX1.4.1=340V→<φ↑peak)下(xià)降到(dào)初始電(diànλφσ)壓的(de)37%(125.8Vpeak)就(jiù)pas€‍ ♦s了(le)。

至于采用(yòng)4個(gè)組成2串2并，好(hǎo)像是(shì)≈☆±≈有(yǒu)要(yào)求放(fàng)電(diàn)電(diàn)阻有∏☆≥(yǒu)一(yī)個(gè)失效，也(yě)要(yào)能(néng)把X'←δ•電(diàn)容的(de)電(diàn)放(fàng)掉。

附參考圖：X電(diàn)容為(wèi)334/340V R1=©♠‌>R2=R3=R4=1.5M。

放(fàng)電(diàn)時(shí)間(jiān®€€★)與放(fàng)電(diàn)電(dià£₩∞n)壓波形如(rú)圖。

R1，R2，R3，R4一(yī)般采用(y™•òng)0805的(de)封裝精度采用(yòng)5₹♥%。如(rú)果輸入是(shì)277的(de)話(huà)，就(jiù)δ♥♦§要(yào)采用(yòng)2并3串的(de)方法了(le)。（080™✘✔5的(de)耐壓問(wèn)題）

由于與待機(jī)功耗和(hé)PCB尺寸有(yǒu)關，™→β¶所以很(hěn)多(duō)公司都(dōu)推出替±×代方案，取消X電(diàn)容的(de)洩放(fàng)電>™© (diàn)阻，采用(yòng)IC去(qù)放(fàng)δ✘★'掉X電(diàn)容的(de)電(diàn)§§。

也(yě)有(yǒu)小(xiǎo)功率的(d≤€e)幹脆不(bù)用(yòng)X電(diàn)容，也(y¶¶¶ě)可(kě)以省掉幾個(gè)電(diàn)÷•λ阻，減小(xiǎo)待機(jī)功耗，或者IC從(có₽≤'ng)這(zhè)個(gè)位置取電(diàn)，降低(dī)待機(jī)功"∏"±耗。
電(diàn)阻的(de)國(guó)際标準

國(guó)标電(diàn)阻數(shù)值E數(shù)列認讀(dú) 

為(wèi)了(le)使工(gōng)廠(chǎng)生(shēng)÷∏φ"産的(de)電(diàn)阻符合标準化(huà)的(de)要(yào)求，™&§✘同時(shí)也(yě)為(wèi)了(le)使電(diàn)阻的(de)規格♦< ∑不(bù)緻太多(duō)，國(guó)家(∞βλjiā)有(yǒu)關部門(mén)規定了(le)一(yī)系列的(§∞÷de)阻值作(zuò)為(wèi)産品的(de)标準，這(zhè)一(yī)∞↔系列的(de)阻值就(jiù)叫做(zuò)電(diàn)阻的(de)£<✘标稱阻值。 

電(diàn)阻的(de)标稱阻值分(fēn)為(wèi)E6、E12、E24、E48、E96、E192六大(dà)系‌≤☆列，分(fēn)别适用(yòng)于允許§∏< 偏差為(wèi)±20%、±10%♣σ'<、±5%、±2%、&plus¥☆$mn;1%和(hé)±0.5%的(de)電(↔∏diàn)阻器(qì)。其中

E24系列為(wèi)常用(yòng)系列，E24、E12和(hé♦€ )E6系列也(yě)适用(yòng)于電(diàn)位☆₽器(qì)和(hé)電(diàn)容器(qì)，E¶←48、E96、E192系列為(wèi)高±αεα(gāo)精密電(diàn)阻系列。  

對(duì)各系列的(de)電(diàn)阻規定幾↑≤♦個(gè)基本系數(shù)，這(zhè)些(xiē)系數(shù)再乘以1'Ω0n(其中n為(wèi)整數(shù))，即為(wèα∏♣>i)某一(yī)具體(tǐ)電(diàn)阻器(qì)阻值。

《實用(yòng)開(kāi)關電(diàn)源設計♠★↔(jì)》第三章(zhāng) 元器(qì)件(jiàn)的(de) δ實用(yòng)選擇 第二節 電(diàn)阻

之前隻是(shì)有(yǒu)了(le)解，這(zh≤★è)些(xiē)是(shì)有(yǒu)國(guó)際标準的(de)，實際應用(yòng)的(de)時(shí)候就(jiù)是​‍(shì)看(kàn)自(zì)己公司的(de)倉庫裡 ∏σε(lǐ)面常用(yòng)哪些(xiē)電(diànλ€✘)阻了(le)。

然後通(tōng)過不(bù)同的(deσ₽ )電(diàn)路(lù)設計(jì)時(shí)考慮下(xià)倉庫→←的(de)電(diàn)阻阻值來(lái)設計(jì) ✘。非倉庫的(de)常規阻值另外(wài)申請(qǐng)。

所以看(kàn)别人(rén)做(zuò)的♠÷¥(de)闆子(zǐ)，如(rú)有(yǒu)的(de)控制↔↔(zhì)闆中就(jiù)會(huì)看(✔®kàn)到(dào)同樣的(de)5.1k電$÷(diàn)阻有(yǒu)N個(gè)，其實也(yě)就(jiù)是(sh≈$→↕ì)方便生(shēng)産與所有(yǒu)非設計(jì)階↕§↑段的(de)管控。
放(fàng)電(diàn)測試
放(fàng)電(diàn)測試，電(diàn)源的(de)α♣→ε狀态是(shì)否一(yī)定得(de)處于空(kōng)♥₹'載？

NTC的(de)選型

NTC1，常用(yòng)的(de)是(shì)10D-9，5D-9，¥↕5D11，2.5D15等幾種型号。

對(duì)應輸入特性裡(lǐ)面的(de)INRU✘₩SH CURRENT (Typ.)  COL∞≤✘D START 45A（30A、60A等）

功率型NTC熱(rè)敏電(diàn)阻器(qì)在電(diàn)α♦↔路(lù)中抑制(zhì)浪湧電(diàn)流示意圖：

NTC有(yǒu)個(gè)B值，簡單的(d¶≤e)話(huà)就(jiù)是(shì)看(kàn)下(xi§★≠₽à)NTC在不(bù)同溫度下(xià)對(duì)應的(de)阻值。對(duì)于常用(yòng)的(de) NTC 熱(r¶$& è)敏電(diàn)阻， B 值®™↑範圍一(yī)般在 2000K ©✘<～ 6000K 之間(jiān)。

複雜(zá)點的(de)就(jiù)是(shì)按照₹¥(zhào)裡(lǐ)面的(de)公式，計 •(jì)算(suàn)溫度，一(yī)般按5%的(de)誤差δ×δ計(jì)算(suàn)（溫度檢測用(yòng)）。功率型♣∑→♥的(de)NTC精度應該是(shì)20%左右的(↓™£de)，B值很(hěn)大(dà)，如(rú)5D-9,25℃的₽≠Ω(de)時(shí)候5Ω左右，高(gāo)溫的(de)時↓π←(shí)候估計(jì)就(jiù)不(bù)到(dào)1&>↑ΩOmega;了(le)。所以碰到(dào)過情況，客戶反饋說(sh§≠σ∏uō)老(lǎo)化(huà)後一(yī)段時(shí)間(jiān)後，沖↑γ£擊電(diàn)流變大(dà)了(le)，超标了(le)，又(yòu)要☆γ"(yào)解釋一(yī)番。

相(xiàng)同阻值，不(bù)同B值的(de)NTC熱(rè)敏電(diγ≠àn)阻R-T特性曲線示意圖

NTC還(hái)有(yǒu)另外(wài)一(yī)個(gè)作(ε♦zuò)用(yòng)，雷擊的(de)時(¶★×shí)候，可(kě)以吸收部分(fēn)的(de)能(néng)量。保險絲ε‌¥¥的(de)I2T會(huì)小(xiǎo)些(ε↔xiē)，保險絲不(bù)至于挂掉，橋堆相(xiγ≈☆♠àng)應的(de)應力小(xiǎo)點。

輸入電(diàn)容小(xiǎo)也(yě☆≤&)可(kě)以不(bù)要(yào)NTC的(de)，或者NTC的(de)Ω σ阻值可(kě)以取小(xiǎo)些(xiē)。隻要(yào)保險絲和≠‍•γ(hé)橋堆能(néng)抗住冷(lěng)啓動瞬間✘α↑(jiān)的(de)電(diàn)流也(yě)沒大(≤→ "dà)問(wèn)題。

NTC在選擇時(shí)有(yǒu)個(σΩ>£gè)工(gōng)作(zuò)電(diàn)流和(hé)工(♥☆☆gōng)作(zuò)溫度範圍，工(gōn±®≥g)作(zuò)溫度範圍一(yī)般是(shì)-55-‍₩<200℃。還(hái)有(yǒu)個(gè'> )參數(shù)是(shì)帶多(duō)φ₽✘δ大(dà)的(de)輸出電(diàn)容，有(yǒu)時(shí)候也(σ yě)要(yào)注意一(yī)下(xiλ™α∑à)的(de)。

NTC還(hái)對(duì)應了(le)低(dī)溫σ‌ 的(de)問(wèn)題，有(yǒu)的(de)L"§ED電(diàn)源-40℃的(de)時(shí)候90Vac起機(jī)閃燈 ♦∞δ。閃幾下(xià)就(jiù)好(hǎo)了(le)，有(yǒu)部分(​✘ε∑fēn)原因是(shì)NTC的(de) €值太大(dà)，還(hái)有(yǒu)部分(fēn)情況是(s≤∏↔§hì)電(diàn)解電(diàn)容在低(dī)溫時(shí)的‌"∞(de)容值變小(xiǎo)，ESR變化(huà✘₽↔¥)等原因。

大(dà)功率的(de)電(diàn)路(lù)（高(gāo)輸入電(φσdiàn)壓、高(gāo)輸入電(diàn)流）裡(lǐ)面也(y"&ě)會(huì)有(yǒu)NTC，或者是(shì)抑制(zhì)沖擊電(π•¥¥diàn)流的(de)功率電(diàn)阻，直流應用(yòng)∏₩↓≠中繼電(diàn)器(qì)有(yǒu)時(shí)候也(♥λ↕≈yě)可(kě)以用(yòng)可(kě)控矽φ£≠或者IGBT什(shén)麽的(de)，如(‍£rú)圖。

壓敏電(diàn)阻的(de)選型

RV1：壓敏電(diàn)阻

反激電(diàn)源常用(yòng)的(de)就≤↔(jiù)是(shì)LN之間(jiān)14D4↔™α 71K，雷擊差模1kV，共模2kV就(jiù)夠了(le)。

單極PFC的(de)反激電(diàn)源LN之間(jiān)14D471K，有&&(yǒu)的(de)還(hái)需要(yào)加個(gè)電(diàn)解♥•4.7-10uF左右的(de)電(diàn•')容串聯二極管吸收掉雷擊的(de)能(néng)量，保護M≤$OSFET。

差模2kV，共模4kV基本要(yào)加氣體(tǐ)放(fàng)電(dià♦≥n)管的(de)。600A,或者1kA，2kA。看(kàn ₹♣π)實際情況增加。

14D471K的(de)選擇264*1.4∑π14（峰值）*1.2=447.96V，470*0.9=423V，MOSFET=φ>÷©600V。

由于470V有(yǒu)±✘₽↓10%精度問(wèn)題，加之壓敏電(d"≈iàn)阻雷擊次數(shù)越多(duō)有(yǒu)個(gè)越打越♥•→薄的(de)說(shuō)法。

對(duì)于220V～240V交流電(d≥σ↑iàn)源防雷器(qì)，應選用(yòng)壓敏電(diàn)壓為(wèi×'♠)470V～620V的(de)壓敏電(diàn)阻較合适。

選用(yòng)壓敏電(diàn)壓高(gāo)一(y÷$ī)點的(de)壓敏電(diàn)阻，可(kě)以降低(d←∏"←ī)故障率，延長(cháng)使用(yòng)壽命，但(dàn)™¶殘壓略有(yǒu)增大(dà)。

壓敏電(diàn)阻的(de)選型還(hái)是(≤§₹•shì)有(yǒu)點偏向于公司的(de)傳統使用(yòng)方式。

一(yī)般對(duì)壓敏電(diàn)阻套上(shàng)熱(rè)縮管≤↓，主要(yào)是(shì)防爆和(hé)阻燃的(de)作∞♠σ(zuò)用(yòng)。因為(wèi)壓敏電(diàn)↓®阻在失效的(de)時(shí)候可(kě)能(néng)會(h$βuì)炸裂，碎片會(huì)蹦到(dào)其他(tā)∞→×電(diàn)子(zǐ)元件(jiàn)上(shàng)，↓×♦還(hái)有(yǒu)就(jiù)是(shì∞λ  )冒火(huǒ)焰。

有(yǒu)時(shí)打雷擊，共模電(diàn)感下(xià)有(yǒu)放 ™®≤(fàng)電(diàn)針會(huì)放(fàng)電(diàn∏>≤')，或者增加1個(gè)GDT對(duì)雷擊都(d×λōu)有(yǒu)改善。如(rú)圖。

但(dàn)是(shì)這(zhè)個(gè)GDT在打初級次級耐壓的™÷✔(de)時(shí)候需要(yào)取消掉再<÷₹​打，要(yào)不(bù)打耐壓AC3000V的(✘×λ>de)時(shí)候會(huì)過流報(bào≥ ≠)警。
VCC啓動電(diàn)阻

VCC啓動電(diàn)阻：一(yī)般采用(yòng)2個(g¥™₹↕è)0805/1206或者3個(gè)06ε<03。有(yǒu)的(de)IC有(yǒu)高(gāo) ©™壓啓動腳的(de)，習(xí)慣性的(de)也(yě)放(fàng)2個®↑(gè)電(diàn)阻串在上(shàng)∞✘¶面消耗功率。

貼片電(diàn)阻的(de)降額與壽命

貼片電(diàn)阻的(de)耐壓值如(rú)圖，'​≥$各個(gè)廠(chǎng)家(jiā)的(de)差異不(bùφ♦)大(dà)。

一(yī)般使用(yòng)經驗是(shì)0805耐壓不(bù)超過10ε€<0V，如(rú)圖。實際應用(yòng)用(yòng)也(≈✔∏♠yě)隻有(yǒu)啓動電(diàn)阻、€™φRCD吸收、RC吸收的(de)時(shí)候電(diàn)阻電(diàn)'♦ 壓可(kě)能(néng)超過100V。

電(diàn)阻最大(dà)電(diàn)§¶≈壓

無論你(nǐ)是(shì)否相(xiàng<​™>)信，實際電(diàn)阻都(dōu)有(yǒu)一Ωσ£(yī)個(gè)能(néng)承受的(d↓ e)最大(dà)電(diàn)壓值。并且，這(zhè)個(gè)值并φ≤不(bù)總是(shì)由功率消耗來(lái)限制(zhì)決定的(de)。÷↕∏電(diàn)阻實際上(shàng)可(kě)以被擊穿（打火(huǒ)∏λ）。在使用(yòng)表面貼片電(diàn)阻的(de)場(c•✔♦hǎng)合，由于端點之間(jiān)的(de✔∞↕)間(jiān)隔比較近(jìn)，電(diàn)壓限制(zhì)問(wèn♦↓♥)題尤其嚴重。處理(lǐ)電(diàn)壓<ε問(wèn)題時(shí)，比如(rú)說(shuō)100₹©‌↑V電(diàn)壓的(de)電(diàn)源，你(nǐ)會(h↑$uì)檢查發現(xiàn)，任何連接到(dào)高(gā™×∞o)電(diàn)壓的(de)電(diàn)阻都(dōu)必須有(yǒu)耐↑≠'壓的(de)要(yào)求

實用(yòng)開(kāi)關電(diàn)源設計§↑(jì)第一(yī)篇  第三章(zhāng)  第二♠γ≠←節  電(diàn)阻  裡(lǐ >★•)面有(yǒu)講到(dào)超過100V需要(y ₽®εào)考慮電(diàn)阻耐壓問(wèn)題。

電(diàn)阻規格書(shū)中體(tǐ)σ'現(xiàn)的(de)不(bù)同封裝和(hé)系列對÷×β♠(duì)應的(de)電(diàn)壓耐壓表格。

貼片電(diàn)阻的(de)功率大(dà)部分( ×₽fēn)設計(jì)的(de)時(shí)候都(dōu)不(bù)€§α怎麽考慮，信号部分(fēn)處理(lǐ)✘₽↑β基本是(shì)采用(yòng)0603的(de​↓♠≈)電(diàn)阻。

帶吸收的(de)部分(fēn)采用(yò"★≠ng)0805或者1206的(de)電(diàn)阻，功率大(dà)點的(de¶↔)情況一(yī)般采用(yòng)插件(jiàn)電(diàn)阻和(ε¥♣hé)水(shuǐ)泥電(diàn)阻。

由于電(diàn)阻的(de)工(gōng)作(zuò)溫εε→度範圍一(yī)般是(shì)-55℃-125℃或者-55℃-155攝氏度₽♠，一(yī)般設計(jì)時(shí)，功率不(bù)超過該電(d< α÷iàn)阻功率檔位的(de)1/4。

（電(diàn)阻溫度很(hěn)高(gāo)運行(xíng)的(deσ ♦¥)情況下(xià)超限值使用(yòng)會(huì)加速電(diàn)¥™阻老(lǎo)化(huà)，然後阻值變大(dà)或者失效，時(♥₹↓shí)間(jiān)大(dà)概是(shì)1-±​↕✘3年(nián)左右出現(xiàn)問(wèn✔♣"™)題。）

溫度對(duì)應電(diàn)阻的(de)功率曲線。溫度越高(gλ× ≤āo)，電(diàn)阻能(néng)用(yòng)到(dào)的(≥δσ™de)功率越小(xiǎo)。

所以一(yī)般工(gōng)業(yè)類電(diàn)源設計(≠$↕jì)和(hé)LED電(diàn)源設計(jì)裡(l&≥ ǐ)面要(yào)滿足60℃以上(shàng)的(de)環境溫度，電(λ₩↑diàn)阻在功率部分(fēn)留的(de)餘量更大(dà)。
VCC繞組供電(diàn)串聯電(diàn)阻的(de)選型

VCC繞組供電(diàn)。

輸出電(diàn)壓變化(huà)範圍寬的(de)情況下(xià)，需要(y≈÷ào)增加VCC的(de)輔助繞組供電(diàn)。

或者IC的(de)VCC供電(diàn)範圍÷↔比較窄，要(yào)滿足輕載、重載以及起機(jī)的(de)情況。<→§Ω

IC的(de)VCC範圍比較寬，直接采用(yòng₹∑​→)VCC繞組整流後串聯個(gè)電(diàn)阻使用(yòng§β)。

R7的(de)用(yòng)法一(yī)®'©般有(yǒu)的(de)用(yòng)電(diàn)阻，有(y✘☆€ǒu)的(de)可(kě)以用(yòng)磁¶ 珠。電(diàn)壓電(diàn)流範圍比較寬的(de)話(✘¥λ huà)，R7用(yòng)插件(jiàn)電☆™(diàn)阻，在大(dà)電(diàn)流時(shí)和(hé)高(gā₹♥$o)壓是(shì)能(néng)幫IC減小(xiǎo)點電(di€↓àn)壓。

R7還(hái)有(yǒu)個(gè)用(¥←∑¶yòng)處是(shì)在切載的(de)時(shí)候能(n ≥™αéng)吸收掉VCC的(de)尖峰，避免切載時(δ↓↕shí)IC的(de)VCC過高(gāo)保護。

R8的(de)取值，ZD1是(shì)15V，Q1進來φβ≈(lái)的(de)電(diàn)壓是(shì)20V，直流放(fàng)大(∏ dà)增益按照(zhào)40倍（hef一(yī)般是(sh‍'σì)50-300,40是(shì)留餘量的(de)算(™ε→‍suàn)法）來(lái)算(suàn)。IC工(gōng)作(zuòβ±')電(diàn)流為(wèi)10mA，R8=（20V•‍-15V）/（10mA/40倍）=20k↓♣Ω。
驅動電(diàn)阻的(de)選型
MOSFET的(de)驅動電(diàn)阻、G£ £S放(fàng)電(diàn)電(diàn)阻、Isen♠♥¶♠se電(diàn)阻。

整改EMC時(shí)調整R9，R13。

R19，R13一(yī)般采用(yòng)0805， ♥<MOSFET電(diàn)流較大(dà)的(de)話(hγεuà)采用(yòng)1206，并且取消掉D3。

R10，小(xiǎo)功率的(de)情況可(kě)以用(yòng)♦&幾個(gè)0805或者1206并聯，

大(dà)功率情況下(xià)，如(rú)果電(diàn)流很(hěn)大(dà)，€γΩ 電(diàn)阻上(shàng)的(de)電(dià≤​✔λn)感對(duì)檢測電(diàn)路(lù)影(yǐng)響很(‍™♠αhěn)大(dà)，容易出現(xiàn)批量問(wèn)題，用(yòng)π →≥繞線無感電(diàn)阻比較靠譜。

電(diàn)流再大(dà)的(de)情況就(j©β§iù)要(yào)打算(suàn)用(yòng)電(d↕δ↓iàn)流傳感器(qì)。驅動部分(fēn)也(βשyě)要(yào)換專門(mén)的(de×ε≥)驅動芯片或者采用(yòng)一(yī)對(duì)三>®極管來(lái)做(zuò)驅動。
原副邊的(de)吸收電(diàn)阻

RCD電(diàn)路(lù)，裡(lǐ)面的(d±₹e)R選值，基本按照(zhào)功率來(lλ≤ái)選了(le)，電(diàn)源功率越大(dà)，R的(de "₹✘)功率相(xiàng)對(duì)越大(dà)。

RCD吸收電(diàn)路(lù)裡(lǐ'>≈ )面的(de)電(diàn)壓尖峰，這(zhè)ε¥λΩ些(xiē)尖峰基本上(shàng)是(¶¥♥•shì)開(kāi)關管高(gāo)dV/dt和(hé)dI/dt時(shí) ​候出現(xiàn)的(de)。

反激裡(lǐ)面會(huì)用(yòng)到(dào)，大(dφ σ​à)功率的(de)全橋電(diàn)路(lù)裡(lǐ)面也(yě)會(h'✘"uì)用(yòng)到(dào)。

RCD在調整輻射的(de)時(shí)候，電('<♣>diàn)阻對(duì)輻射影(yǐng)響還(hái<‍×)是(shì)有(yǒu)點關系的(de)。
431反饋部分(fēn)的(de)電(diàn)阻
431部分(fēn)的(de)電(diàn)阻選擇參考

R4一(yī)般需要(yào)保證D1能(néng)有(y✔₽ǒu)10mA左右的(de)電(diàn)流。

R2一(yī)般保證有(yǒu)1mA左右的(d≥≈®↓e)電(diàn)流，用(yòng)1k≈★♣-5k左右的(de)值，阻值太大(dà)，流經的(de)電(diàn♣←&₩)流小(xiǎo)了(le)，易被幹擾，阻值太小(xiǎo)，流經的(de)&>電(diàn)流大(dà)了(le)，待機(jī)損耗又(yòu)浪費(f¥‌≈èi)了(le)。

R3一(yī)般需要(yào)配合C1一(yī)起調試。習(ε→≥xí)慣性的(de)用(yòng)10k+103。R6一(yī)σ±般采用(yòng)1k左右的(de)電(diàn)阻，提供D1的♣₹♣(de)電(diàn)流情況下(xià)，不(bù)怎麽影(yǐδ'∑≠ng)響Q1。

R4一(yī)般需要(yào)保證D1能(©€αnéng)有(yǒu)10mA左右的(de)電(diàn₹ • )流，如(rú)何理(lǐ)解？

如(rú)Vout=12V，則R4可(kě)以選取820&Om'β‍ega;電(diàn)阻，R4上(shàng)面的(de✔™)電(diàn)壓≈12-1V（光♠♠λ(guāng)耦）-2.5（基準）=8.5♣φ‍V。

極限情況下(xià)：

當電(diàn)壓超過12V時(shí)，431✘↕‌兩端的(de)電(diàn)壓可(kě)以很(hěn)小(xiǎo)，如€±(rú)2.5V以下(xià)，則光(guān‍£λg)耦上(shàng)會(huì)有(yǒu)10mA電(¶÷↓diàn)流，初級的(de)FB被很(hěn)快(kuài↕★")拉低(dī)，PWM占空(kōng)比很(h☆£€ěn)快(kuài)變小(xiǎo)。

當電(diàn)壓低(dī)于12V時(shí)，43×∏¥<1兩端的(de)電(diàn)壓可(kě)以很♦←(hěn)大(dà)，接近(jìn)12V，則光(guāng)耦上(shα♦♣àng)沒有(yǒu)電(diàn)流經過，初級FB電(diàn)♦∏✘壓未被拉低(dī)，則初級PWM的(de)占空(kōng)比會(huì→ ₽)增加。

這(zhè)個(gè)電(diàn)阻可(kě)以調節輸出電≥★✘✔(diàn)壓過沖，和(hé)負載突變時λ≥(shí)的(de)輸出電(diàn)壓變化(huà)值。

10mA為(wèi)參考值，不(bù)同的(de)電(diàn)路(l×£™ù)需要(yào)調節R4的(de)值。