下(xià)圖是(shì)開(kāi)關電(diàn)源的(de)原理(lγ"∑ǐ)簡圖，以反激為(wèi)例！
設定一(yī)下(xià)主要(yào)參☆≈數(shù)如(rú)下(xià)：
輸入電(diàn)壓：Vin=AC176-264V
輸出電(diàn)壓：Vout=12V
Vcc電(diàn)壓：Vcc=15V
變壓器(qì)匝比：N
下(xià)面對(duì)上(shàng)述圖片中的(de)各個(gè)元∑£'↑器(qì)件(jiàn)進行(xíng)應力計×(jì)算(suàn)。
1、整流橋BR1
整流橋如(rú)上(shàng)圖體(tǐ)內π•(nèi)由4個(gè)二極管構成：d1，d2≈±↕☆，d3，d4
應最惡劣的(de)情況下(xià)是(shì&≥γ)在輸入電(diàn)壓最高(gāo)的(de)時(shí)候，即，V£in=264Vac
所以C1上(shàng)兩端的(de)電(diàn)壓3↔<→73V。
輸入電(diàn)壓波形如(rú)下(xià↑≤©<)圖
當輸入電(diàn)壓處于正半周時(shí)，BR1&≤"體(tǐ)內(nèi)二極管d1和(hé)✘×d4導通(tōng)不(bù)承受高(g✘↕♥∑āo)電(diàn)壓，d2和(hé)d≠δ↔3截止承受的(de)高(gāo)電(diàn)壓，d2∞ ÷電(diàn)壓應力為(wèi)b點電( →≈diàn)位減去(qù)c點電(diàn)位，d3電(diàn←®✔)壓應力為(wèi)a點電(diàn)位減去(qù)d點電(✘≤★"diàn)位。
正半周a、b、c、d點的(de)電(diàπ₹n)位相(xiàng)對(duì)于大(dà)電(diànλ≠δ)容地(dì)分(fēn)别為(wèi)：373V、3↔λ←73V、0V、0V
d2應力=b-c=373V-0V=373V
d3應力=a-d=373V-0V=373V
輸入電(diàn)壓進入負半周時(shí)同理(lǐ©§Ω)可(kě)得(de)d1和(hé)d4的(de)應力為(wèi)373V。≥₹¥
即整流橋BR1的(de)工(gōng)作(zuò)應力為(€≥wèi)373V
由于開(kāi)關電(diàn)源需要(y<∏§ào)做(zuò)雷擊浪湧試驗，所以一(y•<✘ī)般整流橋都(dōu)選擇1000V的(de)整流橋。
2、輸入大(dà)電(diàn)容C1
C1上(shàng)的(de)電(dià♠∞n)壓應力為(wèi)輸入最高(gāo)電(diàn)壓264V交流電(dià♥$£☆n)壓整流後的(de)電(diàn)壓。
所以C1的(de)工(gōng)作(zuò)♠♣↓電(diàn)壓應力為(wèi)：
264×1.414=373V
所以輸入電(diàn)解電(diàn)容C1一(yī)般選擇耐壓值為(wèi)♣§400V的(de)電(diàn)容。
3.開(kāi)關mos管Q1
當開(kāi)關MOS管Q1開(kāi)通(tα✔$™ōng)時(shí)，Q1不(bù)承受大(dà)電(diàn)壓。
當開(kāi)關MOS管Q1管關時(shí)，Q1承受大(dà)電(dià♦£♦n)壓應力。
MOS管電(diàn)壓應力為(wèi)：最高(gāo)輸入電(di♣ ₹àn)壓+反射電(diàn)壓+漏感産生(shēng)的(de)尖峰電(d♣εiàn)壓。
反射電(diàn)壓一(yī)般為(wèi)：60-120V '¥
最高(gāo)輸入電(diàn)壓：373V
漏感尖峰電(diàn)壓一(yī)般為(wèi)：100左右
所以反激開(kāi)關電(diàn)壓開(kāi)©¶☆關管Q1的(de)工(gōng)作(zuò)電(di↓♠àn)壓應力為(wèi)：373+120+100=5∑≤ 93V左右
留一(yī)定的(de)餘量一(yī)般選650V左右的≥π↔≈(de)MOS管
4.鉗位電(diàn)路(lù)D1、R1、C2
當Q1關斷時(shí)，鉗位二極管D1導通↑↑∞(tōng)，向C2充電(diàn)，C2兩端的(de)充電(diàn)電'<(diàn)壓為(wèi)Np兩端的(de)電(diàn)♥ λ壓為(wèi)：
反射電(diàn)壓+尖峰電(diàn)壓
假設反射電(diàn)壓為(wèi)：12™₽0V
尖峰電(diàn)壓為(wèi)：100V
則C2兩端的(de)電(diàn)壓為(wèi)220≠βV，上(shàng)負下(xià)正。
C2下(xià)方的(de)電(diàn)位為(✔<wèi)：373+220=593V
C2下(xià)方宇D1負極相(xiàng)連，相(xiàng)β✔☆φ當于D1負極的(de)電(diàn)位也(yě)為(✘♠'wèi)593V左右，并且C2電(diàn)容上(shàng)電(diàn)≥σ壓不(bù)能(néng)突變，所以D1負極電(ε$ ♠diàn)位相(xiàng)對(duì)文(wén)∑↑檔在593V左右。
當Q1導通(tōng)時(shí)，D1正極的(de)電(d λ♦iàn)位此時(shí)為(wèi)0V。
所以D1的(de)應力為(wèi)負極電(diàn)位減去(qù)正極電( φ¥≥diàn)位為(wèi)：593V
C2上(shàng)方的(de)電(diàn)位為(wèi)373₽Ω↑ V的(de)恒定值
所以C2的(de)電(diàn)壓應力為(w₩Ωèi)：593-373=220V左右
R1和(hé)C2為(wèi)并聯，所以R1電(diàn)壓應力為(wèi)2×✔↕20V左右
5、Vcc整流二極管D2
Vcc電(diàn)壓為(wèi)15V，反射電(diàn)壓≈✘Ω若為(wèi)120V時(shí)，原邊主繞組與Vcc繞組的€(de)匝比為(wèi)120÷15=8.
當Q1關斷時(shí)，D2是(shì)導通(tōng)的(de)，此時₹'λ(shí)D2不(bù)承受大(dà)電(diàn)壓就(jiù)一(yī)個₩ (gè)二極管壓降。
當Q1導通(tōng)時(shí)，D2正極的(de)電(di¥÷¥Ωàn)位為(wèi)為(wèi)負，數(sΩhù)值為(wèi)-（373&divid€Ω&₽e;8）=-46.625V。此時(shí)D2承受的(de)電(diàβ←∞$n)壓應力為(wèi)15-46.625=61.62↓≠"₹5
所以Vcc整流二極管D2的(de)應力大(dà)概為(π♠wèi)：62V左右。
留些(xiē)餘量一(yī)般D2選耐壓值為(wèi)100V左右的(de)☆♥二極管。
5、輸出整流二極管及電(diàn)容D3、C3γδ
輸出電(diàn)壓為(wèi)12V，反射電(diàn)壓若為(wè&₩ i)120V時(shí)，原邊主繞組與輸出繞組的(de)匝比為×←↔(wèi)120÷12=10.
當Q1關斷時(shí)，D3是(shì)導通(tōng)的(de)，此時(ε>☆•shí)D3不(bù)承受大(dà)電(diàn)壓就γ≤☆(jiù)一(yī)個(gè)二極管壓降。
當Q1導通(tōng)時(shí)，D3正極的(de↔∏>)電(diàn)位為(wèi)為(wèi)負，數(sh§ ≥ù)值為(wèi)-（373÷10）=-37→£₩.3V。此時(shí)D2承受的(de)電(diàn)π÷"≠壓應力為(wèi)15-37.3=52.3
所以Vcc整流二極管D3的(de)應力大(dà)概為(wè'↓i)：52V左右。
留些(xiē)餘量一(yī)般D3選耐壓★β值為(wèi)60V左右的(de)二極管。
C3上(shàng)的(de)電(dià© n)壓為(wèi)恒定的(de)12V。
C3的(de)電(diàn)壓應力為(wèi)♥$12V，一(yī)般選16V左右的(de)電(diàn)壓。
